IKP20N60T 低损耗 快恢复 IGBT MOS单管 600V 40A 166W 封装TO220-3

规格
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射较击穿（较大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（较大值）	40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	60A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2.05V @ 15V，20A
功率 - 较大值	166W
开关能量	770μJ
输入类型	标准
栅较电荷	120nC
25°C 时 Td（开/关）值	18ns/199ns
测试条件	400V，20A，12 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	41ns
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop?
and Fieldstop technology with soft,
fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
? Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
? Maximum Junction Temperature 175 °C
? Short circuit withstand time – 5?s
? Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
? TrenchStop?
and Fieldstop technology for 600 V applications
offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
? Positive temperature coefficient in VCE(sat)
? Low EMI
? Low Gate Charge
? Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
? Qualified according to JEDEC1
for target applications
? Pb-free lead plating; RoHS compliant