IPA80R1K4CE原装绝缘栅COOLMOS管 N沟道800V 封装TO-220-3

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	2.8A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	1.4 欧姆 @ 2.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	3.9V @ 240μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	23nC @ 10V
Vgs（较大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	570pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	31W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 
Description
CoolMOS?CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance
andruggednesstoallowstabledesignsathighestefficiencylevel.
CoolMOS?800VCEcomeswithselectedpackagechoiceofferingthe
benefitofreducedsystemcostsandhigherpowerdensitydesigns.
Features
Highvoltagetechnology
Extremedv/dtrated
Highpeakcurrentcapability
Lowgatecharge
Loweffectivecapacitances
Pb-freeplating,RoHSCompliant,Halogenfreemoldcompound
Qualifiedforconsumergradeapplications
Applications
LEDLightingforretrofitapplicationsinQRFlybacktopology
Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate
orseparatetotempolesi