FDPF190N15A原装ON N沟道 COOLMOS管 150V 27.4A封装TO-220-3

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	27.4A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	19 毫欧 @ 27.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	39nC @ 10V
Vgs（较大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	2685pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	33W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 
FDPF190N15A
N-Channel PowerTrench? MOSFET
150V, 27.4A, 19mΩ
Features
 RDS(on) = 14.7mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 27.4A
 Low Gate Charge ( Typ. 30nC)
 Low Crss ( Typ. 56pF)
 Fast Switching
 ** Avalanche Tested
 Improved dv/dt Capability
 RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
Application
 DC to DC Converters
 Synchronous Rectification for Server/Telecom PSU
 Battery Charger
AC motor drives and Uninterruptible Power Supplies
 Off-line UPS