TK12P60W 表面贴装 N 沟道 MOS单管 600V 11.5A封装TO-252-3

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	11.5A（Ta）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	340 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	3.7V @ 600μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	25nC @ 10V
Vgs（较大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	890pF @ 300V
FET 功能	**级结
功率耗散（较大值）	100W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
Applications
 Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 ? (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.6 mA)